近日，第八届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第十九届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）在苏州召开。中国电子科技集团首席专家、宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室主任柏松在开幕大会上分享了大会报告。
在这场被视为“全球第三代半导体行业风向标”的盛会上，得到了业界、学界广泛的支持与积极参与，本届论坛为期三天，包含一场大会，190余个报告，13场主题技术分论坛、7场热点产业峰会、三场工作会议，共计27个专题活动，以及先进半导体技术应用创新展（CASTAS）、POSTER论文交流等多种形式的分论坛。据组委会统计，来自政、产、学、研、用、资等LED及第三代半导体产业领域国内外知名专家、企业高管、科研院所高校学者代表超过2000名注册，实际参会人数超过1600名，从不同的角度分享不同见解，观点碰撞，探求技术与产业化难题解决之道，全面展现第三代半导体产业链前沿技术进展及产业发展“风向\"。
2021年全球功率市场204亿美元，硅MOSFET和IGBT占比约60%，2027年增长至305亿美元。SiC功率半导体市场约为10.9亿美元，预计到2027年将达63亿美元，市场渗透率约从5%增长到20%。SiC MOSFET应用涉及新能源汽车、新能源发电、储能、工业电机、消费电子、轨道交通、高压输变电等领域。
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在论坛开幕大会上，中国电子科技集团首席专家、宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室主任柏松做了题为“SiC功率MOSFET技术及应用进展”的大会主题报告。报告中详细介绍了低压碳化硅MOSFET产品研制进展和市场应用情况，以及面向未来应用需求开展高压碳化硅器件技术开发的最新进展等。
报告认为，新能源汽车产业高速发展，推动SiC MOSFET市场规模快速提升。OBC应用实现较高渗透率，电机控制器将成为规模最大应用领域。
光伏发电/储能应用中，SiC MOSFET在10kW-200kW家用和工业应用中具有综合性价比优势，使逆变器转换效率提升至99%以上。光伏储能一体化应用快速增长，储能端DC-DC转换采用SiC MOSFET，具有显著的效率、体积和重量优势。
轨道交通应用中，国内外快速机车牵引逆变器、辅助功率系统上使用1700V-6500V SiC功率模块，开展示范应用。高压SiC MOSFET替代IGBT模块，体积缩小95％，损耗降低80％。
柏松指出，新能源汽车、光伏和储能等中低压应用推动了碳化硅电力电子产业快速增长。解决高可靠、高电流密度碳化硅MOSFET器件设计、制造、封装等问题是实现持续增长的关键。碳化硅在电网、轨道交通等高压领域的应用优势得到初步展示，亟待联合攻关实现批量工程应用。（备注：点击阅读原文，即可回看开幕大会视频报告。）
嘉宾简介
柏松，博士，研究员，中国电科集团首席专家，宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室主任，国家科技重大专项、国家重点研发计划项目和课题负责人，长期从事碳化硅电力电子器件技术研究，致力于提高碳化硅器件性能和可靠性，研制出先进的碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT。
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电力电子器件
中国电子
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